Burn-in Mikromodule/TO

kundenspezifische automatische Anlage

• Prozess auf Wafer- und TO-Ebene
• Parameter bis zu 750mA/200V
• Temperaturspanne von +25°C bis zu +130°C
• Kundenspezifische Programme
• Kundenspezifische Vorgaben und Testspezifikationen
• Variable Einstellung für jede Linie auf dem Wafer
• Hohes Prozessvolumen mit minimalem Handling
• Wafer-Mapping Funktionalität (Rückverfolgbarkeit, Parameter)